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又是輝達妖股！稅後虧損連連　股價一日暴衝164% 發佈時間：2025/05/25 20:52 又是輝達妖股！稅後虧損連連　股價一日暴衝164% 美氮化稼大廠奪輝達訂單 股價大漲(圖/雅虎財經) 財經中心/綜合報導 第三代半導體氮化鎵(GaN)功率IC領導大廠納微半導體(Navitas Semiconductor)喜獲輝達(Nvidia Corp.)訂單，將開發一款專為AI資料中心設計的先進800V高壓直流輸電(HVDC)架構，股價應聲暴衝。22日股價一夕飆漲164%，從每股1.91美元噴漲至5.05美元，創史上最大單日漲幅，不過週五(23日)晚間立即回檔，下跌12.67%，收在4.41美元。 因為Navitas 21日宣布，為輝達開發一款專為AI資料中心設計的先進800V高壓直流輸電（HVDC）架構，雙方合作將運用自家的「GaNFast」氮化鎵與「GeneSiC」碳化矽技術，改進輝達最新的「Kyber」機櫃級系統，克服目前54V櫃內供電難以應付200kW 以上電力需求的限制。這項消息帶動Navitas股價一夕暴衝164%，22日股價收在5.05美元，不過隔天股價利回吐，下跌12.67%。 由於輝達計畫將傳統13.8kV交流電（AC）轉為800V 高壓直流輸電，藉此減少銅製匯流排的體積，並減少電力轉換次數來降低能耗，銅線厚度也可以大幅減少。Navitas 因接獲輝達大單激勵，22日狂飆164%，以5.05美元作收，市值來到9.69億美元，創史上最大單日漲幅。股價23日回落12.67%，收4.41美元，週漲幅仍達118%。不過，Navitas 股價仍比2021年11月15日觸及的歷史高點20.16美元重挫78%。不過翻開財報，目前Navitas的營運仍是虧損狀態。 https://www.ftvnews.com.tw/news/detail/2025525W0122

黃仁勳要讓機器人能「作夢」？看懂輝達背後大計 #懂AI看商周 #COMPUTEX2025 https://www.youtube.com/shorts/nNy3hYti58Y

Navitas Semiconductor Corporation〈NVTS〉 https://www.moneydj.com/us/basic/basic0001/nvts Navitas Semiconductor Corporation開發和銷售氮化鎵(GaN)功率半導體，是全球氮化鎵(GaN)電源晶片的技術領導廠，GaN電源IC將GaN電源與驅動、控制和保護功能整合在一起，提供更快的充電、更高功率密度和更大的節能，因此產品具備更小、更輕、更快和更環保的電源轉換和電源管理解決方案，應用於智慧手機、筆記型電腦和平板電腦、電視、數據中心、電動汽車、電動汽車和可再生能源發電的快速充電器。公司成立於2014 年，總部位於愛爾蘭都柏林。

Navitas Semiconductor（NVTS）是做甚麼的？AI 用電的解方提供者！ 2025/05/27 https://www.pocket.tw/school/report/SB/5694/ 一、公司概況與里程碑 Navitas Semiconductor 成立於 2014 年。 2021 年以 SPAC 方式在那斯達克掛牌，股票代號 NVTS。 2022 年收購 GeneSiC Semiconductor，切入碳化矽（SiC）高壓功率市場。 2023 年推出 GaNSafe™、GaNSense™ 系列高功率 IC，並發表全球首款 4.5 kW 高功率密度 CRPS 電源。 2025 年 5 月宣布與 NVIDIA 合作 800 V HVDC 資料中心電源架構，強化 AI 伺服器供應鏈布局。 二、核心技術與產品線 Navitas 以「高整合度 + 極致效率」為產品設計核心，在 GaN 與 SiC 兩大寬能隙材料上各自建立完備的 IC 平台。 1. GaNFast™ 系列 ─ 行動到雲端的高頻開關引擎 整合式 Power IC：將功率晶體、驅動器、控制與保護功能封裝在單顆 IC，開關頻率可達 2 MHz，是傳統 Si MOSFET 的 10 倍。 軟硬體協同：GaNFast 附帶 GaNDrive、GaNControl 韌體演算法，可在適配器與伺服器 PSU 內動態最佳化開關死區與斜率，將轉換效率推至 98%↑。 應用射程：從 30 W 快充頭到 12 kW AI 伺服器電源，皆透過板級模組化設計快速導入。 2. GaNSafe™ 高功率系列 ─ 專為 AI 伺服器 HVDC 而生 350 ns 內短路偵測與關斷：符合 OCP ORv3 「電弧 500 ns 內抑制」規範，可避免 800 V 匯流排短路燒毀整櫃。 全腳位 2 kV ESD：減少系統設計額外的 TVS 陣列，降低 BOM 成本約 5–8%。 可編程 Slew Rate：工程師可根據 GPU VRM 的瞬時負載設定 dv/dt，兼顧 EMI 與效率。 3. GeneSiC™ SiC MOSFET / Diode ─ 車用、儲能與高壓回路利器 Trench‑assisted Planar 架構：將單位電阻 Rds(on) 降低 15%，在 400 A 電流下可省 30 W 熱耗。 電壓跨度 650 V→6.5 kV：覆蓋 EV 800 V 主驅、MW 逆變器到 HVDC 固態變壓器。 G3F 世代：通過 AEC‑Q101 與 AQG324 車規，目標 2026 年切入車用主驅逆變器。 兩大平台可在同一 PSU 內「前端 SiC + 後級 GaN」混搭，充分利用 SiC 的高壓耐受與 GaN 的高頻優勢，提高功率密度 25% 以上。 三、主要應用與客戶 1. AI 與雲端資料中心。 Navitas 的 GaNSafe™ 高功率 IC 與 GeneSiC™ SiC MOSFET 是 800 V HVDC 架構的關鍵元件，能在 98% 以上效率下支援 1 MW 以上機架。 伺服器電源大廠台達電、台灣群光與英業達均導入 GaNFast／GaNSafe 方案設計 CRPS 與 OCP ORv3 PSU。 NVIDIA 與 Navitas 合作的核心原因在於「雙平台整合」—SiC 前端高壓→GaN 後級高頻—可一次解決 13.8 kV→800 V→48 V→12 V 多級轉換痛點，提供業界最小化體積與最大效率的整機方案。 相較於 Infineon、ON Semi 等以 discrete 方案為主的供應商，Navitas 以高度整合的 Power IC 形式輸出，簡化客戶 BOM 與韌體整合時間，並且提供 20 年 GaNFast 保固，降低雲端客戶導入風險。 2. 電動車驅動與充電基礎設施 GeneSiC 1.2 kV/2.3 kV SiC MOSFET 已完成比亞迪與蔚來汽車 OBC 與 350 kW 超充樁樣品送測。 高壓 SiC 方案可使 800 V 架構 EV 在 15 分鐘內完成 80% 充電，並將銅損降低 15%。 Navitas 與義大利 Tier‑1 制動系統供應商合作，計畫於 2026 年前將 SiC Driver Inverter 導入歐洲商用車。 3. 再生能源與儲能系統 GeneSiC 6.5 kV 器件已於美國能源部 (DoE) MW 級儲能逆變器專案量產使用，實測效率提升 1.8 個百分點，LCOE 降 5%。 兼具耐高溫與高頻特性，使 Navitas 能打入高海拔風電與沙漠型太陽能案場。 4. 快充、家電與工業電源 第三代 GaNFast IC 被 Belkin、Anker、聯想大量用於 65 W–240 W PD 充電器，全球出貨量破 1.6 億顆。 韓系家電品牌導入 GaNFast 於變頻冷氣 PFC，全年節電 7%。 NVDA 合作優勢解析 一站式 SiC+GaN：同一家供應商即可完成 HV 變換與 LV 高頻同步整流，降低設計複雜度 30%。 整合式保護機制：GaNSafe 內建 350 ns 內短路保護與 2 kV 全腳位 ESD，滿足 NVIDIA 對雲端高可靠度 (>99.999%) 的要求。 高功率密度：合作測試版 12 kW PSU 體積僅 1.3 L，功率密度 9.2 W/cc，較競品 Infineon 方案高 22%。 快速迭代：Navitas 採 Fab‑lite 模式，Tape‑out 到樣品只需 12 週，符合 NVIDIA 快速世代迭代節奏。 四、財務概況（美元） ...

〈力積電奪納微大單〉搶輝達AI電源商機 最快今年Q4完成認證 鉅亨網記者魏志豪 台北 2025-07-02 14:31 納微半導體 (Navitas)(NVTS-US) 今 (2) 日宣布，與力積電 (6770-TW) 建立戰略合作夥伴關係，將採用力積電 8 吋 0.18 微米製程生產氮化鎵 (GaN) 產品。由於 Navitas 日前才與輝達 (NVDA-US) 共同宣布，將共同開發新一代 800V 高壓直流 (HVDC) 電力架構，力積電此次合作也被外界看好將搶占 AI 電源高成長的市場。 力積電搶輝達AI電源商機 最快今年Q4完成認證。(擷取自Navitas官網) Navitas 宣布，將於力積電竹南 8B 廠進行生產，採用 0.18 微米的 CMOS 製程，運用更先進的製程節點，藉此強化性能、能效及成本等方面。外界預期，隨著 Navitas 持續與力積電合作，相關後段測試也將續留台灣，預期將由微矽電子 (8162-TW)、矽格 (6257-TW) 承接。 力積電指出，公司決定投入 GaN 領域已有 2、3 年，是公司重要的轉型方向之一，Navitas 也是合作已久的客戶，目前產能皆足夠，待客戶需求確立後，將會擴大產能並支援客戶成長。 力積電此次將為 Navitas 生產 100V 至 650V 的氮化鎵產品，以滿足 48V 基礎設施，包括超大型 AI 資料中心和電動車對 GaN 日益增長的需求。首批產品預計於今年第四季度完成認證。其中，100V 系列計劃於 2026 年上半年在力積電率先投產，650V 產品將在未來 1-2 年從現有供應商台積電逐步轉由力積電。 Navitas 近期在 AI 資料中心、電動車與太陽能市場接連取得多項進展，包括投入氮化鎵與碳化矽 (SiC) 技術研發，支援輝達 800V HVDC 架構，應用於 1 兆瓦以上的機櫃。 全球領先的太陽能解決方案業者 Enphase 也已宣布，下一代 IQ9 產品將採用 Navitas 650V 雙向 GaNFast 氮化鎵功率晶片。同時，Navitas 的大功率 GaNSafe 技術也正逐步導入商用車車載充電器 (OBC) 應用領域。 Navitas 執行長兼共同創辦人 Gene Sheridan 表示，非常榮幸能與力積電攜手推進 8 吋矽基氮化鎵 (GaN on Si) 的生產，期待未來持續共同推動技術創新，通過與力積電的合作，將在產品性能、技術發展和成本效率方面持續取得突破。 力積電總經理朱憲國表示，雙方在矽基氮化鎵技術上已有多年合作經驗，如今產品認證即將完成，量產在即，公司倍感振奮。力積電將以此為基礎，繼續擴大合作，堅定支持 Navitas 探索並拓展氮化鎵市場。 https://news.cnyes.com/news/id/6047250

力積電：台積電退出氮化鎵 轉單爆量漲停 2025/07/03 12:19 （記者洪友芳攝） 〔記者洪友芳／竹科報導〕輝達合作夥伴納微（Navitas）宣布與力積電（6770）在氮化鎵（GaN）進行代工合作，利多消息激勵力積電今盤中亮燈漲停，截至11點59分，成交量爆逾9.62萬張，漲停委買張數達2.5萬張。 功率半導體廠納微（Navitas ）昨宣布與力積電建立合作夥伴關係，將由力積電以竹南8吋廠為該公司代工生產氮化鎵（GaN）晶片，生產涵蓋電壓100-650伏特的產品組合。 納微指出，較低壓的100伏特產品預計在今年第四季完成認證，2026年上半年投產。較高電壓650伏特系列產品，將在未來12至24個月內從納微半導體現有供應商台積電（2330）搬到力積電。 台積電表示，經過完整評估後，公司決定在未來兩年內逐步退出氮化鎵（GaN）業務。此決定是基於市場與台積電的長期業務策略，公司正與客戶緊密合作確保在過渡期間保持順利銜接，並致力在此期間繼續滿足客戶需求。 台積電強調，仍將著重為合作夥伴及市場持續創造價值。此項決定將不會影響之前公布的財務目標。 業界解讀，氮化鎵經過中國大肆投資，產能過剩到已變紅海市場，很多投資廠商不僅沒有獲利空間還虧損，台積電決定退出，納微轉單力積電，但不一定對力積電有利可圖。 業界人士指出，因輝達相關AI伺服器產品需求的氮化鎵可靠度相當高，納微在高可靠度的領域佔比小，整合製造元件廠（IDM）必定是最佳首選，德儀（TI）、英飛凌等應該都是第一選擇的策略合作夥伴。 https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/5094897

Navitas為輝達下一代AI工廠運算平台提供800 VDC電源架構支援 由 Navitas | 10 月 14, 2025 Navitas正式發布專為輝達800 VDCAI工廠電源架構打造的全新100V氮化鎵、650V氮化鎵及高壓碳化矽功率元件，以實現突破性效率、功率密度與性能表現。 加利福尼亞州托倫斯市2025年10月13日訊——Navitas（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布，其在先進中高壓（800 VDC）氮化鎵與碳化矽功率元件研發上取得重要進展，此舉將協助輝達（NVIDIA）打造針對下一代AI工廠運算平台的800 VDC電源架構。 AI工廠的興起催生了一類全新的資料中心，旨在為大規模平行人工智慧與高效能運算（HPC）提供高效的算力服務。這類全新資料中心的誕生，帶來了功率傳輸的新挑戰。而依賴54V機櫃內配電架構的傳統企業級與雲端資料中心，已無法滿足現今高速運算平台所需的兆瓦級機櫃功率密度需求，新的功率挑戰正推動資料中心電源架構的根本性革新。 800 VDC配電系統具備以下優勢： 降低電阻損耗與銅材用量，實現更高能效； 基礎設施具備可擴充性，能以高緊湊性方案為兆瓦級機櫃供電； 與國際電工委員會（IEC）低壓直流（LVDC）分類標準（≤1,500 VDC）保持全球一致； 透過高效的熱管理，實現簡單可靠的電力分配。 800 VDC架構支援在資料中心電力機房或週邊區域，將13.8kVAC的市電直接轉換為800 VDC。透過採用固態變壓器與工業級整流器，此方案可省去傳統AC/DC及DC/DC的多階轉換，最大限度提升能效、降低損耗，並提升整體系統的可靠度。 800 VDC配電系統直接為IT機房內的伺服器機櫃供電，省去了額外的傳統AC-DC轉換階段。電力接著透過兩階段高效DC-DC轉換（從800 VDC降至54V/12 VDC，再轉換為GPU所需電壓），驅動輝達Rubin Ultra平台等先進基礎設施。 這類先進的AI工廠對功率密度、能效及可擴充性提出了前所未有的需求，而Navitas高性能GaNFast氮化鎵與GeneSiC碳化矽技術，恰好能滿足這些需求。 圖1：從電網到GPU，Navitas先進的氮化鎵和碳化矽技術為AI資料中心功率轉換的每一環提供支援 專注於寬能隙功率半導體的Navitas，始終致力於突破性的氮化鎵與碳化矽技術研發，協助AI資料中心從電網到GPU的每一個環節，實現高效、高功率密度的功率轉換。 Navitas全新100V氮化鎵FET產品系列，採用先進雙面散熱封裝，具備卓越的能效、功率密度與熱性能。該系列產品專為GPU電源板上的DC-DC轉換階段進行優化——在該環節中，超高密度與熱管理能力是滿足下一代AI運算平台需求的關鍵。目前，該系列產品的樣品、規格書及評估板已就緒，可供客戶申請。 此外，全新高效的Navitas 100V氮化鎵FET產品，基於與力積電的戰略合作，採用8英寸晶圓製程製造，適合大規模量產。 Navitas的650V氮化鎵產品組合包含一條全新的大功率氮化鎵FET產品線，以及整合控制、驅動、感測與內建保護功能的先進GaNSafe™功率晶片，憑藉卓越的強健性與可靠度，滿足下一代AI基礎架構對性能與安全性的嚴苛需求。 做為全球氮化鎵技術安全巔峰，GaNSafe具備以下特性： 超高速短路保護（最快350ns的回應時間）； 所有接腳均具備2kV靜電放電（ESD）防護； 無需負閘極電壓驅動； 可程式化壓擺率（slew-rate）控制。 以上功能可透過晶片4個接腳實現，讓封裝可如離散式氮化鎵FET般使用，無需額外的VCC接腳。 憑藉超過20年在碳化矽領域累積的創新經驗，Navitas旗下的GeneSiC™技術擁有自主研發的溝槽輔助平面閘極技術，可為大功率、高可靠度的應用在全溫度範圍內，提供卓越的高速、低溫升運作能力。GeneSiC™技術提供從650V到6,500V的業界最廣電壓範圍，已應用於包含與美國能源部（DoE）合作在內的多個兆瓦級儲能與併網逆變器專案。 Navitas總裁暨執行長Chris Allexandre表示：「在輝達推動AI基礎設施轉型的過程中，Navitas非常榮幸能運用我們的氮化鎵和碳化矽方案，協助其實現效率、可擴充性與可靠度的提升，以滿足下一代資料中心的需求。隨著產業快速邁向兆瓦級AI運算平台，對更高效、可擴充且更可靠的電力輸送需求日趨關鍵。從傳統54V架構轉型至800 VDC架構，不僅具有革命性，更是產業的顛覆性革新。」 他進一步補充：「Navitas正經歷根本性轉型，透過氮化鎵與碳化矽技術的融合，為全球最先進的系統提供支援。如今，我們的關注領域已遠超消費電子，延伸至從電網到GPU的全鏈路環節——透過差異化的高性能電源方案，滿足AI工廠、智慧能源基礎設施及工業平台的兆瓦級需求。」 如需了解Navitas全新100V與650V氮化鎵FET的資訊、樣品、產品規格書、評估板，以及Navitas旗下高壓碳化矽MOSFET產品系列資訊，請寄信至info@navitassemi.com。 如需進一步了解Navitas氮化鎵與碳化矽技術在800 VDC架構之資料中心基礎設施相關應用，請點擊此處查看Navitas最新白皮書。 關於Navitas Navitas（納斯達克股票代碼：NVTS）為新一代功率半導體產業領導者，專注於氮化鎵（GaN）與積體電路（IC）元件，以及高壓碳化矽（SiC）技術研發，旨在推動人工智慧與資料中心、能源與電網基礎設施、高效能運算及工業應用領域的創新。憑藉在寬能隙技術領域超過30年的經驗累積，Navitas旗下GaNFast™功率晶片將氮化鎵功率元件、驅動、控制、感測與保護功能高度整合，實現更快的功率傳輸、更高的系統功率密度及更優異的能效表現。GeneSiC™高壓碳化矽元件採用受專利保護的溝槽輔助平面技術，為中壓電網及基礎設施應用提供業界領先的耐壓能力、效率與可靠度。Navitas已擁有或申請中的專利超過300項，同時也是全球首家獲得CarbonNeutral®碳中和認證的半導體公司。 Navitas、GaNFast、GaNSense、GeneSiC及Navitas標識均為NavitasSemiconductor及其子公司之商標或註冊商標。其他所有品牌、產品名稱及標誌，均為或可能為其各自所有者用於識別產品或服務之商標或註冊商標。 https://navitassemi.com/zh/navitas%E7%82%BA%E8%BC%9D%E9%81%94%E4%B8%8B%E4%B8%80%E4%BB%A3ai%E5%B7%A5%E5%BB%A0%E9%81%8B%E7%AE%97%E5%B9%B3%E5%8F%B0%E6%8F%90%E4%BE%9B800-vdc%E9%9B%BB%E6%BA%90%E6%9E%B6%E6%A7%8B%E6%94%AF%E6%8F%B4/

美股法說 NVTS｜納微半導體 Navitas 轉型陣痛中的氮化鎵龍頭與台灣供應鏈布局 (NVTS US) 研究小編 更新於 2025.11.04｜股市熱話 關注美股法說會可以幫助你更全面了解公司的營運狀況和未來計劃，透過問答環節更能學習從專家的角度看法說重點，進而做出更正確的投資決策！ 目錄 公司簡介 Q3財報關鍵數據 市場觀點與分析師看法 策略轉型「Navitas 2.0」計畫 台灣相關供應鏈解析 結語 公司簡介 Navitas Semiconductor(納斯達克代碼：NVTS)成立於2014年，是全球首家推出氮化鎵(GaN)功率積體電路的半導體公司，專注於新世代功率半導體技術。公司主要產品包括GaNFast氮化鎵功率IC與GeneSiC高壓碳化矽(SiC)元件，應用範圍涵蓋AI資料中心、電動車、能源基礎設施及工業電氣化等領域。目前擁有超過300項專利，是全球第一家取得碳中和認證的半導體企業，總部位於美國加州托倫斯。 Q3財報關鍵數據 營收與獲利表現 Navitas於2025年11月3日美股盤後公布2025年第三季財報。第三季營收達1010萬美元，符合公司先前財測中點，但較2024年同期的2170萬美元大幅衰退53.5%，也未達市場分析師預期的1079萬美元。每股虧損(EPS)為負0.09美元，遠遜於市場預期的負0.05美元，超出預期幅度達80%。 從損益角度來看，GAAP營運虧損為1940萬美元，相較2024年同期的2900萬美元已有改善。非GAAP營運虧損為1150萬美元，較第二季的1060萬美元略微擴大。毛利率方面，非GAAP毛利率為38.7%，較第二季的38.5%微幅提升，主要受惠於終端市場組合的些微優化。 資產負債與現金流量 截至2025年9月30日，公司現金及約當現金為1億5060萬美元，且無負債。這筆充裕的現金部位，主要來自於第二季完成的近1億美元增資，為公司策略轉型提供財務緩衝。營運費用方面，第三季非GAAP營運費用為1540萬美元，較第二季的1610萬美元下降，顯示公司正積極控制成本。 前景展望 公司對第四季提出保守財測，預期營收為700萬美元(上下浮動25萬美元)，較第三季再度下滑約30%。非GAAP毛利率預估約38.5%(上下浮動50個基點)，營運費用約1500萬美元。管理層將第四季定位為「營收谷底」，預計從2026年第一季開始將出現季度性成長。 市場觀點與分析師看法 股價反應 財報公布後，Navitas股價在盤中交易暴跌近9%。這反映出投資人對於公司短期展望的失望，以及對策略轉型執行力的疑慮。值得注意的是，該股在財報前一個月曾上漲86%，年初至今累計漲幅達255%，顯示市場先前對AI資料中心題材抱持高度期待。 分析師評等調整 多家券商在財報後調整評等。Rosenblatt Securities於10月將評等從「買進」下調至「中立」。Craig-Hallum也在8月將評等從「買進」降至「持有」 CJS Securities同樣在8月將評等從「優於大盤」降至「符合大盤」。目前華爾街分析師共有8位分析師追蹤該股，整體評等為「持有」。 關鍵轉折點 分析師普遍認為，公司面臨的最大挑戰是策略轉型的執行風險。市場關注焦點包括：與超大規模資料中心業者(hyperscaler)的合作進度、高功率市場的客戶驗證時程，以及從行動裝置市場退出後的營收缺口如何填補。管理層強調2027年AI資料中心應用將開始貢獻實質營收，但投資人顯然對這個時間表感到不耐。 策略轉型「Navitas 2.0」計畫 市場定位轉換 執行長Chris Allexandre在法說會中宣布「Navitas 2.0」轉型策略，核心是從低功率行動裝置與消費性市場，全面轉向高功率應用領域，包括AI資料中心、高效能運算、能源電網基礎設施及工業電氣化。公司主動放棄中國行動裝置市場的低利潤訂單，並精簡經銷通路，目標是提升業務品質與利潤率。 行動裝置業務在第三季仍占營收「絕大多數」，但預計第四季將降至50%以下，未來所有成長將來自高功率市場。管理層坦言，行動裝置低階市場在過去一兩年快速商品化，即使是100瓦級的高階充電器，差異化空間也越來越小，商品化趨勢加速。 NVIDIA合作案 最受矚目的是與NVIDIA的深度合作。Navitas被NVIDIA選為800V直流高壓(HVDC)架構的功率半導體夥伴，應用於次世代AI工廠運算平台。公司推出業界首款100V GaN FET，專為AI資料中心應用設計，並送樣2.3kV/3.3kV SiC模組。這項合作案從電網到GPU涵蓋完整功率傳輸鏈，被視為公司長期成長的關鍵驅動力。 產能與供應鏈布局 在製造端，公司持續與台積電(TSMC)合作，同時加速與力晶科技(Powerchip/PSMC)的夥伴關係。力晶將在台灣竹南科學園區的8B廠生產Navitas的200毫米GaN-on-Si晶圓，採用改良型180奈米CMOS製程。100V產品線預計2026年上半年率先量產，650V產品將在未來12至24個月內從台積電轉移至力晶。公司也在評估新的晶圓代工夥伴，從地理供應鏈、成本與產能角度強化競爭力。 台灣相關供應鏈解析 台積電(2330) 台積電是Navitas目前最重要的GaN晶圓代工夥伴，提供6吋GaN-on-Si晶圓製造服務。儘管台積電計畫在未來兩年內基於市場考量逐步退出GaN業務，專注於高利潤的先進邏輯製程，但管理層明確表示將繼續與台積電合作多年。台積電在第三代半導體的布局，除了與Navitas等國際客戶合作GaN技術外，也與安森美、英飛凌等大廠合作開發碳化矽元件，鞏固其在功率半導體代工的地位。 力積電(6770) 力積電是Navitas「Navitas 2.0」轉型計畫的關鍵夥伴，雙方合作已有數年歷史。力積電在竹南科學園區的8B廠自2019年啟用，支援從micro-LED到射頻GaN等多種高量產製程。透過200毫米晶圓與180奈米製程，力積電能提供更小晶片尺寸、更佳性能與成本效益。產品驗證預計在2025年第四季完成，2026年開始貢獻營收。這項合作將強化Navitas在AI資料中心、電動車等高成長市場的供貨能力。 漢磊科技(3707) 漢磊是亞洲唯一具量產規模的第三代半導體晶圓代工廠，提供6吋GaN-on-Si代工服務，與旗下嘉晶科技形成上下游整合優勢。公司積極布局AI資料中心的800V HVDC架構需求，看好碳化矽功率元件滲透率提升。漢磊的SiC MOSFET Gen4平台已完成主要客戶可靠度驗證，相較第三代產品效能提升逾20%、晶片面積縮小約20%，預計2025年第四季小量生產，2026年成為營收主力。此外，漢磊與世界先進合作開發8吋SiC產線，預計2026年第二季試產。 世界先進(5347) 世界先進在GaN材料投資超過4年，與設備材料廠Kyma及轉投資GaN矽基板廠Qromis合作，開發可達8吋規模的新基底高功率GaN技術(GaN-on-QST)，瞄準電源領域應用。公司也與漢磊合作推動8吋化合物半導體SiC產線，採「技術+客戶由漢磊負責、營運由世界先進執行」的分工模式，月產能規劃1500片，預計2026年第四季針對工業與消費性產品量產。世界先進的8吋產能優勢，有助降低GaN與SiC元件的製造成本。 穩懋(3105) 穩懋是全球砷化鎵代工龍頭，市占率高達八成，目前積極拓展第三代半導體業務。公司提供6吋GaN-on-SiC晶圓代工服務，主攻射頻與通訊應用，產品應用於高功率、高頻率的5G基地台與衛星通訊。氮化鎵營收占比雖為個位數，但公司持續投資此領域。穩懋在南科擴廠，受惠於IDM大廠持續釋出代工訂單，過去五年複合成長率達兩成，未來在功率與通訊市場雙軌並進。 環球晶(6488) 環球晶圓是全球第三大矽晶圓供應商，積極布局第三代半導體材料。公司在碳化矽基板領域投入研發資源，並透過垂直整合策略，從材料端切入功率半導體供應鏈。環球晶的6吋與8吋碳化矽晶圓技術，將支援電動車、能源基礎設施等高成長應用。隨著全球對高效能功率元件需求攀升，環球晶的材料技術將成為台灣第三代半導體產業鏈的重要基礎。 結語 Navitas 2025年第三季財報呈現出典型的策略轉型陣痛期特徵：營收大幅下滑、虧損超出預期，但管理層對長期願景充滿信心。與NVIDIA的深度合作為公司注入一劑強心針，但從合作到量產再到獲利貢獻，仍需2至3年時間驗證。台灣供應鏈在這波GaN與SiC浪潮中扮演關鍵角色，從台積電、力晶的晶圓代工，到漢磊、世界先進、穩懋的專業製造，再到環球晶的材料支援，形成完整的產業生態系。投資人需密切關注第四季是否如管理層所言成為營收谷底，以及2026年成長動能能否如期啟動。 https://www.sinotrade.com.tw/richclub/hotstock/%E7%BE%8E%E8%82%A1%E6%B3%95%E8%AA%AA-NVTS-%E7%B4%8D%E5%BE%AE%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94-Navitas-%E8%BD%89%E5%9E%8B%E9%99%A3%E7%97%9B%E4%B8%AD%E7%9A%84%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%8E%B5%E9%BE%8D%E9%A0%AD%E8%88%87%E5%8F%B0%E7%81%A3%E4%BE%9B%E6%87%89%E9%8F%88%E5%B8%83%E5%B1%80--NVTS-US--69099183c34df7115702439f

清倉轉移陣地

美股布局調整, 三足鼎立, 更動二隻腳.